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相关PDF资料
DAN222T1G
DIODE SWITCH DUAL CC 80V SC75-3
DAN222TL
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DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR
DAN235UT106
DIODE SWITCH BAND 35V SOT-323
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DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-346
DAP202UT106
DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-323
DAP222G
DIODE SWITCH DUAL CA 80V SC75-3
DAP222MT2L
DIODE SWITCH 100MA 80V VMD3
相关代理商/技术参数
DAN222MT2L(G)
制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
DAN222T1
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAN222T1G
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAN222TL
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 80V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAN222WM
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching Diode
DAN222WMTL
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 80V 0.1A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAN235E
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Band switching diode
DAN235E_11
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Band Switching Diode